芯片设计缺陷致良品率低 英伟达否认与台积电关系紧张
日前据报道有传言称，芯片系紧英伟达最新的设计Blackwell架构GPU在正式发货前遇到了一些问题，导致了较低的缺陷良品率。这让英伟达与台积电之间的致良张关系受到一些影响。
然而，品率英伟达CEO黄仁勋迅速对此进行了澄清。低英电关他明确表示，伟达Blackwell架构的台积产品确实存在一个设计上的小瑕疵，这个瑕疵虽对芯片的芯片系紧基本功能不构成影响，但却不可避免地降低了良品率。设计黄仁勋强调，缺陷这是致良张英伟达单方面的问题，与台积电毫无干系，品率且不会影响双方未来的低英电关合作。
值得注意的伟达是，基于Blackwell架构的GPU所打造的B100和B200，是首批采用台积电先进的CoWoS-L封装技术的产品。
它们通过RDL中间层与LSI桥接器巧妙地连接各个小芯片，实现了令人瞩目的约10Tb/s数据传输速率。
摩根士丹利分析师的最新报告更是为英伟达的前景添上了浓墨重彩的一笔。报告指出，英伟达未来一年内Blackwell架构的订单已被抢购一空，其中不乏有AI公司一次性预订超过10万片芯片，市场需求可见一斑。
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